人们对光网络容量史无前例的需求促使了光交换网、光开关及其阵列的发展。铌酸锂作为制作光开关的衬底材料，因为其良好的电光系数、易于制作的特性和合适的价格，已经被广泛研究了几十年。除此之外铌酸锂基制作的开关速度非常快，达到纳秒量级。它的发展方向主要是低端口快速光开关阵列。本论文首先综合比较了制作开关的各种材料、结构和开关效果，然后结合本实验室现有的条件，选择了Ti∶LiNbO₃波导作为我们的研究对象，提出一种关于非对称电极低串扰1×2数字光开关的新型设计。它是在Y分叉后端引入S弯曲波导电光可变光衰减器（Variable Optical Attenuator VOA），通过在Y分叉处的非对称电极和弯曲波导的弯曲电极施加相同的同步电压，可以控制光的传播通道，实现较低的串扰。S弯曲波导结构在其相应弯曲部位配以共面电极，可以用来增大辐射损耗进而降低串扰。通过理论研究和软件模拟，确定了单模波导传输条件，选取合适的Ti条厚度60nm，扩散时间9～10h，波导宽度6～7μm等。本文对S型VOA的半径，波导宽度，弯曲形状等因素对弯曲波导型作了研究，在较低电压下，VOA实现了＞20dB的消光比，插入损耗也比较小，符合我们设计的目的。优化后的开关设计参数为：开关有效长度约27mm，Y分叉角为0.18°，电极边缘最佳间距3.5μm，VOA长12mm。采用有限差分光束传播方法来分析。Beamprop软件计算得到的结果为：使用TM模调制，在光波长为1.55μm时、外加驱动电压为6V左右时，得到了＜-30dB的串扰值，比不带VOA的开关串扰小约5dB。在实验方面，我们也对光刻、剥离、磨片等工艺步骤进行了探索，找到了较好的工艺参数。但由于时间和实验条件的限制，目前实验完成了波导制作和通光测试，下一阶段电极制作有待继续。