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UHV/CVD外延生长硅及锗硅单晶薄膜

被引量 : 0次 | 上传用户：yishuiji111

【摘 要】

：

本文采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术,对较低的温度(550～660℃)下生长硅和锗硅外延工艺及其应用进行研究。主要包括锗硅单层和多层(多量子阱和超晶格)结构的外延生长和表征以及对外延生长高质量的弛豫锗硅虚衬底进行的探讨。 研究中利用了高分辨率X射线衍射(HRXRD)、二次离子质谱、拉曼光谱、原子力显微镜等多种测试技术。 实验采用本实验室自行研制的UHV/CVD-Ⅱ外延设备

【作 者】

：

孙伟峰 

【机 构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2005年06期

【关键词】

：

硅单晶 UHV/CVD 薄膜层 外延层 异质结构 化学气相沉积 原子层 Electron 基区 多量子阱 

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本文采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术,对较低的温度(550～660℃)下生长硅和锗硅外延工艺及其应用进行研究。主要包括锗硅单层和多层(多量子阱和超晶格)结构的外延生长和表征以及对外延生长高质量的弛豫锗硅虚衬底进行的探讨。 研究中利用了高分辨率X射线衍射(HRXRD)、二次离子质谱、拉曼光谱、原子力显微镜等多种测试技术。 实验采用本实验室自行研制的UHV/CVD-Ⅱ外延设备。首先成功地生长出了高质量、组分范围较宽(0.127≤X≤0.5

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