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该论文利用透射电子显微术(TEM)和电子能量损失谱(EELS)研究了高铜掺杂和高氧掺 杂的La<,2>CuO<,4+δ>(LCO)样品.通过变温实验和利用电子束辐照降低空穴浓度,研究人 员研究了各种调制结构的特征.另外通过半定量的EELS成分分析、O-K吸收边的精细结构分 析和比较铜掺杂与氧掺杂样品中调制结构的差异,该文工作证明多余的Cu引入了多余的空穴并且显著地增强了室温的电荷有序.