随着现代电子信息技术的发展，以半导体器件为基础的电子电路已不再满足于使用传统无机材料进行制备，大量新型有机半导体材料的出现使得半导体器件的发展进入了一个新的时代。由于大部分有机半导体材料本身具备柔性、高透光性，这使得由其所制备的器件可同样具备相类似的性质，比如制备出柔性电路或是具有更高透光度的感光器件，且由于多数有机半导体材料易于溶解，故可使用较为简便的液相方式进行制备，这极大的丰富了有机电路的应用前景。本文通过选择不同的有机半导体材料，以基本的场效应晶体管模型为基础，尝试制备了几种半导体器件并对其进行了性能优化，通过一系列实验及研究对有机半导体薄膜和单晶器件的基本应用进行了讨论。主要内容为：1.通过对有机薄膜场效应晶体管的绝缘层/半导体层进行不同的修饰，研究并总结出一套可同时用于无机或有机绝缘层界面的单分子层修饰方法。此方法使用了OTS (Octadecyltrichlorosilane)和OTMS (Octadecyltrimethoxysilane)单分子层对绝缘层/半导体层界面接触进行了修饰，使得器件的传输性能得到提高，并能够被用于较常见的绝缘层上，从而为基于该种器件的电子电路性能提升提供参考方案。2.通过对有机半导体单晶BPEA (9,10-bis(phenylethynyl)anthracene)的生长进行研究，得到一种能够控制其原位生长的液相生长方式，并利用该方式与光刻技术相结合，制备了单晶有机单晶场效应晶体管及其他器件。通过这种方式能够在一定程度上实现对有机半导体单晶的生长方向、位置进行控制，使其不再完全杂乱生长排序，且由于方法为液相生长方式，相对气相法而言要更为简单；另外，由于该方式可以与光刻技术进行结合，能够较为方便的在单根单晶上实现反相器、振荡器的制备，甚至理论上还可以进行更为微小的器件制备，这对于制备纳米级有机单晶器件有一定的参考意义。3.以基本的无机FLASH器件结构为基础，尝试制备了基于有机薄膜和单晶的FLASH器件。器件表现出一定的存储性能，并通过尝试改变浮栅状态对器件进行了测试。通过这种尝试实验，为之后研究制备更为复杂的器件和电路打下了基础。