【摘 要】
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该文以Ba(MgTa)O(BMT)系微波介质陶瓷为主要研究对象,研究了Ma/Ta比的微量变化对BMT系陶瓷的结构和介电性能的影响.针对BMT烧结性能差,烧结温度偏高,介电常数的温度特性不好的热点问题,采用两种不同的烧结工艺制备BMT微波陶瓷.为了降低BMT系材料的烧结温度、改善温度特性,分别添加Ba(CoNb)O和NaF进行掺杂改性研究.在采用传统一步煅烧法制备的三组不同Mg/Ta比的BMT试样中
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该文以Ba(Mg<,1/3>Ta<,2/3>)O<,3>(BMT)系微波介质陶瓷为主要研究对象,研究了Ma/Ta比的微量变化对BMT系陶瓷的结构和介电性能的影响.针对BMT烧结性能差,烧结温度偏高,介电常数的温度特性不好的热点问题,采用两种不同的烧结工艺制备BMT微波陶瓷.为了降低BMT系材料的烧结温度、改善温度特性,分别添加Ba(Co<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>和NaF进行掺杂改性研究.在采用传统一步煅烧法制备的三组不同Mg/Ta比的BMT试样中,B位Ta相对于Mg适当过量可明显促进BMT陶瓷的致密化,有利于提高Q值和ε.两步煅烧法制备BMT克服了附加相Ba<,5>Ta<,4>O<,15>对BMT烧结性能和介电性能的影响,使BMT的介电性能相对传统一步煅烧法有较明显的提高.将具有复合钙钛矿结构的Ba(Co<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>以适当比例添加进入BMT,使其ε有所提高,而α<,ε>有明显改善,当BCN含量为30mol﹪时,ε=27.59,tgδ=0.02×10<-4>,α<,ε>=-9.92×10<-6>/℃.为了有效降低BMT的烧结温度,在BMT中加入不同比例的NaF,使BMT致密化温度最低降至1320℃.试样在1350℃烧结时介电性能良好.NaF含量为4mol﹪时,ε=23.65、tgδ=0.39×10<-4>、α=<,ε>=-32.52×10<-6>/℃.
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