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本文对双量子点的电子共振隧穿理论进行了分析。文章首先分析研究了电子在双量子点之间发生共振隧穿时量子点的化学势随量子点上门电压的变化以及随外加偏压的变化。其次研究了玻璃中的CdSeS量子点。CdSeS量子点其空间分布存在一定的随机性，相邻量子点的间距可以用不同大小的耦合电容来表示。假设玻璃里双量子点中量子点1的直径为240nm，有N1=90个电子，与源极间的电容CL=4.36×10-15F；量子点2的直径为200nm，有N2=60个电子，与漏极间的电容CR=4.36×10-15F。在外加电场作用下，随双量子点之间耦合电容Cm的增加，研究了电子在双量子点之间发生共振隧穿时量子点的化学势随外加偏压的变化。