库仑阻塞相关论文
拓扑绝缘体和拓扑超导体是拓扑材料领域发展以来广受关注的两类体系。利用拓扑绝缘体中的无耗散拓扑边界态可以构建极低功耗的器件......
一只方形的 graphene 单身者电子晶体管(集合) 与二扇方面门被定义，并且它的运输在 T = 在低温度被学习 2 K。在零个磁场，库仑封锁摆......
基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子......
在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I ......
以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍......
在20mK的极低温下测量了石墨烯纳米带量子点的电子输运性质,观测到清晰的库仑阻塞菱形块和对应量子点激发态的电导峰.对库仑阻塞近......
该文用经典物理与介观物理的方法，阐明了纳米电子学的主要概念与物理基础，讨论了纳米电子学中的长度概念、电导涨落、库仑阻塞及单电......
该论文在单电子理论基础上用C语言自主编制单电子系统模拟程序,可分别模拟单岛、多岛单电子系统,金属纳米粒子、半导体纳米粒子所......
该论文基于扫描探针显微术研究了金纳米粒子和铁电薄膜的电学性质;采用溶剂挥发法和Langmuir-Blodgett法制备二维有序金纳米颗粒阵......
该文第一章对单电子学的一些基本知识作了简单描述,并介绍了两种纳米级加工方案:自上而下和自下而上的工艺方案.第二章主要介绍了S......
由于纳米硅（nc-Si）双势垒结构的材料、工艺与现代微电子技术高度兼容，以及由于量子尺寸效应所产生的许多新的物理现象，使得nc-Si双势垒......
该论文主要介绍有机分子电子材料的制备及电学性质的测试,以及有机分子电子材料用于电子器件的基本研究.主要分为以下几部分：纳米电......
室温单电子现象的研究将为新一代超高密度信息存储器件的开发提供相应的理论基础 ,不论从基础还是应用的角度看,都及其极其重要的......
金纳米颗粒及其有序阵列具有显著的量子尺寸效应、库仑阻塞等效应。同时，金纳米颗粒的表面等离子共振(SPR)吸收处于可见光区，从而使......
纳米电子学是纳米科技的重要科学基础，将成为21世纪信息时代的科学核心。纳米电子学的重要研究内容包括纳米结构的加工制造技术和具......
纳米技术的发展,特别是在半导体领域制作工艺上的成熟,已经可以成功地利用化学或物理方法制备出许多低维人造结构,如零维量子点、......
准一维纳米材料及其有序阵列体系具有许多奇异的物理和化学性质,在纳米器件功能化和集成化等领域具有重要的潜在应用前景,已成为当......
本文对双量子点的电子共振隧穿理论进行了分析。文章首先分析研究了电子在双量子点之间发生共振隧穿时量子点的化学势随量子点上门......
石墨烯(Graphene)是近几年涌现出来的新的热门研究领域。由于在其中存在着Dirac型的准粒子激发，准粒子在该材料中展现出许多新奇物......
全文共五章:第一章简单介绍了介观物理中的几个典型效应,包括弱局域化效应、普适电导涨落、库仑阻塞效应、Aharonov-Bolm效应、整......
本文在极低温(0.260K)下对表面声波单电子器件进行了研究，在国内观察到表面声波搬运电子形成的声电电流。在给分裂栅加适当的负电压......
近年来，磁电阻效应因其重要的理论价值和广泛的商业应用前景而成为凝聚态物理和材料科学的研究热点。其中高自旋极化氧化物因其具有......
按照摩尔定律的发展，我们目前的先进技术特征尺寸是0.25微米，和0.18纳米乃至正渐渐投入生产的0.13微米技术．据ITRS(国际半导体技术发......
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数......
SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电......
采用电子束曝光、感应耦合等离子体刻蚀和热氧化等工艺技术,通过独特的图形反转设计,即在电子束曝光时采用负的曝光图形,并以电子......
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试......
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通......
基于介观电路中电荷应是量子化的这一基本事实，给出了介观电感耦合电路的量子理论和库仑阻塞条件，并讨论了该介观电感耦合电路的量子......
利用第一原理密度泛函理论计算组装C60形成能和电子结构,用半经典隧穿理论研究了串联C60的电子输运特性.结果显示:六边形对六边形......
传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)......
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,......
本文介绍了纳米科技的历史、现状和发展趋势；综述了纳米物理学的若干基本问题；讨论了小尺寸情况下的量子效应和形变超晶格的光电特征......
文章介绍了单电子晶体管的产生背景、工作原理、最新的制备工艺、计算机数值模拟和存在的问题,并对其应用前景进行了展望.......
随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线......
该文基于介观电路中电荷应是量子化的这一事实,应用正则量子化方法给出了介观耗散电容耦合电路的量子化方法和库仑阻塞条件.研究结......
根据介观电路中电荷是量子化的事实,从无耗散互感电路的经典运动方程出发,利用经典拉格朗日正则变换以及正则线性变换,给出了介观......
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工......
金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性，因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制......
