TiB₂-BN导电复合陶瓷具有导电性、抗热冲击性能、可机械加工性能、耐腐蚀性能等优点,在金属蒸镀行业中作为蒸发容器材料得到了广泛的应用。但是如何进一步优化TiB₂-BN导电复合陶瓷的综合性能是目前正在研发的重点。本文采用真空热压烧结制备了TiB₂-BN-TiC/Si₃N₄三元复相陶瓷,研究了添加剂TiC/Si₃N₄及其添加百分含量对材料性能的影响,并结合材料结构的变化分析材料结构对性能的影响。另外,TiB₂-BN导电复合陶瓷在实际应用的过程中要承受室温到高温的热震冲击以及抗熔铝腐蚀,所以,在模拟工况实验条件下研究了材料的抗热震性能和抗熔铝腐蚀破坏机理。 正交实验结果表明:添加剂的掺加能够提高材料的综合性能,对于TiB₂-BN-TiC/Si₃N₄体系,烧结压力对材料的性能没有什么影响,但是对TiB₂-BN-TiC陶瓷,材料的力学性能随烧结温度的升高和TiC掺加百分含量的增加下降,分析其主要原因是:温度越高,晶粒尺寸长大,另外引入过多的第三相陶瓷TiC,导致其性能降低,而致密度的下降可能是BN的分解;对TiB₂-BN-Si₃N₄陶瓷,材料的性能随烧结温度的升高而上升,随Si₃N₄掺加百分含量的增加而减少,所以掺加适量的Si₃N₄和提高材料的烧结温度能提高材料的综合性能。实验得出最佳烧结工艺为:TiC最佳掺加量是重量比1%,烧结压力25MPa以上,烧结温度1600℃,材料相对致密度96%以上,抗弯强度达179MPa:Si₃N₄最佳掺加量是重量比1%,烧结压力25MPa以上,烧结温度1800℃,材料的相对致密度93.5%以上,抗弯强度达142 MPa。 对TiB₂-BN导电复合陶瓷抗热震行为研究表明:在工况条件（1200℃）下经受50多次的冷热循环仍旧完好,只是样品的电阻率在每一次热震循环后略有增加,但在工况条件（1400℃）下,TiB₂-BN-TiC/Si₃N₄陶瓷循环10次,样品表面氧化严重,电阻率增加很大,已无法使用。因此工作温度也需要得到控制,控