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通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜ＳＯＩＬＤＭＯＳ的电热模拟对比，了二氧化硅低热导率对器件温度分布及Ｉ－Ｖ特性的应用。首次表征了仅由埋氧化所致的自加热效应。重点讨论了薄膜ＳＯＩ高压ＭＯＳＦＥＴ的自加热２与器件结构和工艺参数的关系。
薄膜SOILDMOS自加热效应的表征及相关因素探究
【摘 要】
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通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜ＳＯＩＬＤＭＯＳ的电热模拟对比，了二氧化硅低热导率对器件温度分布及Ｉ－Ｖ特性的应用。首次表征了仅由埋氧化所致的自加热效应。重点讨论了薄膜ＳＯＩ高压ＭＯＳＦＥＴ的自
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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2000年2期
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