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研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟．采用一种台面结构进行I-V测试，发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系．常温下，钒注入p型和n型4H-SiC的电阻率分别为1．6×10^10和7．6×10^6Ω·cm．测量了不同退火温度下的电阻率，发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率，由于钒扩散的影响1700℃退火使得电阻率略有下降．测量了n型SiC钒注入层在20～140℃时的