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对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入......
研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟．采用一种台面结构进......
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