磁控溅射再硒化法制备Cu(In,Al)Se2薄膜

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本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜,然后固态源硒化制成Cu(In,Al)Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分,SEM观察薄膜的表面形貌,XRD表征薄膜的组织结构。结果表明,由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu(In,Al)Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构,且随着Al含量的增加,晶面间距减小。
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