【摘 要】
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以SiH4与H2为气源，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术．在较低的温度（200℃）和较高的压强（230Pa）下，在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10^-20m／s，晶化率大于60％的纳米晶硅
【机 构】
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韩山师范学院物理与电子工程系,汕头大学物理系
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以SiH4与H2为气源，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术．在较低的温度（200℃）和较高的压强（230Pa）下，在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10^-20m／s，晶化率大于60％的纳米晶硅薄膜．利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响．结果表明，薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系．随着硅烷浓度的降低．即氢稀释率的提高，晶化率提高，而沉积速率随着射频功率的增大而增大．当硅烷体积浓度为1％、射频功率为70W时，获得晶化率接近70％的优质
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