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用射频共溅射技术和后退火的方法，制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge／SiO2)。通过拉曼散射、光致发光和透射电子显微镜等手段研究了该复合膜的光学特性和薄膜结构。
Ge-SiO2薄膜的结构和光学特性研究
【摘 要】
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用射频共溅射技术和后退火的方法，制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge／SiO2)。通过拉曼散射、光致发光和透射电子显微镜等手段研究了该复合膜的光学特性和薄膜结构。
【机 构】
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太原重型机械学院,太原重型机械学院,太原重型机械学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2004年F04期
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