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利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光．实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于10^7cm^-2时，位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰；而位错密度较低时，光谱中没有出现D1发光峰．而对于掺氮直拉硅单晶中的位错，其发光光谱在0．75～0．85eV范围内均出现了与低位错密度普通直拉硅单晶相同的较宽的谱峰．而且当含氮直拉硅单晶中位错密度高于10^7cm^-2时，在0．75～0．85eV范围内则出现了明显的与原生氧沉淀相关的发光峰．可以认为硅单晶生长过程中引入的位错的发光