粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yy136301854

【摘要】

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利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面

【作者】

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张锐高濂虞玲郭景坤

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所国家重点实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所国家重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2002年6期

【关键词】

：

Cu包覆SiC颗粒表面包覆分散均匀性粒度分布歧化反应铜碳化硅陶瓷颗粒复合材料 coating phase homogeneity size-di

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利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.

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