【摘 要】
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Vishay推出带有同体封装的190V功率二极管的190V N沟道功率MOSFET—SiA850DJ,该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压
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Vishay推出带有同体封装的190V功率二极管的190V N沟道功率MOSFET—SiA850DJ,该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转换器以及手机、PDA、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的有机LED(OLED)背
Vishay Launches 190V N-Channel Power MOSFET-SiA850DJ with 190V Power Diode in a Smaller Package Featuring a Small Footprint of 2mm × 2mm and Slim Thickness of 0.75mm. Typical applications for the SiA850DJ will include boost-to-dc converters for high-voltage piezo motors and organic LED (OLED) backs in portable devices such as cell phones, PDAs, MP3 players and smart phones
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