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通过BPM方法模拟了SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器的反射性能，模拟结构表明，SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用，最大反射功率为－60dB。进一步分析表明，多模干涉区末端的界面反射率决定了器件的反射强弱，SiO2基掩埋式波导的界面反射率非常低，这正是其低反射的原因。