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在新的阻断状态解析模型基础上,定量讨论了双极模式静电感应晶体管(BSIT)主要结构参数(外延层杂质浓度N_B、漏源间距w、栅区深度r及栅间距2a)与沟道势垒的关系,同时给出了定性解释。还分析了大注入通态特性与结构参数的关系,为BSIT的关态及通态设计提供了理论依据。更多还原
双极模式静电感应晶体管设计要点
【摘 要】
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在新的阻断状态解析模型基础上,定量讨论了双极模式静电感应晶体管(BSIT)主要结构参数(外延层杂质浓度N_B、漏源间距w、栅区深度r及栅间距2a)与沟道势垒的关系,同时给出了定
【机 构】
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西安交通大学电子系,八七七厂
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1993年5期
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