【摘 要】
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用于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度（EPD）。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼（VB）法分别得到
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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用于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度（EPD）。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼（VB）法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm^-2。通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm^-2,最大位错密度小于5000cm^-2。
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