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研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示，随着In浓度的增加，GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善，低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上，为补偿In和N原子尺度的差异，N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。