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用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为，结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”；ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃。
硅中氮的电学行为的研究
【摘 要】
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用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为，结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”；ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＳｉ的
【机 构】
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中南工业大学应用物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年4期
【基金项目】
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浙江大学硅材料国家重点实验室资助
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