【摘 要】
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采用埋沟、三层多晶硅、两次金属工艺,研制出正照EMCCD器件。器件的像元尺寸16μm×16μm。器件在-20℃下工作,读出频率10 MHz,倍增增益可达1000倍以上,探测灵敏度5×10~(-4)
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十四研究所,
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采用埋沟、三层多晶硅、两次金属工艺,研制出正照EMCCD器件。器件的像元尺寸16μm×16μm。器件在-20℃下工作,读出频率10 MHz,倍增增益可达1000倍以上,探测灵敏度5×10~(-4) lx。
Using buried ditch, three layers of polysilicon, two metal processes, developed positive EMCCD devices. The pixel size of the device is 16μm × 16μm. The device operates at -20 ° C with a read frequency of 10 MHz and a doubling gain of more than 1000 times with a detection sensitivity of 5 × 10 ~ (-4) lx.
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