【摘 要】
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提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断一个二极管有无界面层存在,并测量在不同正向
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提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断一个二极管有无界面层存在,并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值.用A-V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni/n-GaN肖特基二极管,观察到肖特基二极管的负电容现象,并确认是一种结的效应.研究还发现,无论缺乏n+层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成,界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构.
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