【摘 要】
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对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS）的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60％）的RTS，通过测量RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系，获得了
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对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS）的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60％）的RTS，通过测量RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系，获得了氧化层陷阱的位置与能级，证实了氧化层陷阱的热激活模型在细沟道nMOSFET中仍然成立。同时发现当器件工作在弱反型区时，RTS幅度基本与栅压无关。对RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明，当沟道宽度减小至40nm以下时，由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对RTS的幅度的影响起主导作用。
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