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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用.
原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善
【摘 要】
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓
【机 构】
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中国科学院半导体
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;科技部攀登计划
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