激光束制作硅Pn结

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lurenjia1983
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最近,英国英格兰的赫里特-瓦特大学发明一种激光化学汽相淀积(CVD)方法制成具有整流特性的pn结.这种pn结具有类同硅单晶pn结的I/V特性,但不是理想的突变结.轻掺杂的pn结的整流比率为250:1(在正向压降为0.8V下,结面积为10×2μm),在2V下 Recently, a laser-induced chemical vapor deposition (CVD) method was used to form pn junctions with rectifying properties at the University of Georgetown-Watt in England, England. This pn junction has I / V characteristics of pn junctions , But not an ideal abrupt junction.The lightly doped pn junction has a rectification ratio of 250: 1 (junction area of ​​10 × 2 μm at a forward voltage drop of 0.8V) and at 2V
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