基于创业导向的高职跨境电商产教融合分析

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在当前创新创业号召越来越强烈的发展形势下,高职需要注重跟企业的协作、构建校企协作体系和基于产教融合的跨境电商创业实训条件,在高职学生创业项目中渗透跨境电商平台的真实运营环境,并且对一系列资源进行整合,组织创业培训与指导,推动大学生的创业,培养具备创业、创新精神的跨境电商复合型人才.
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目的实现对半导体硅器件接触变形与相变转化的微观认识和理解其粘着产生起因。方法基于分子动力学法的Morse和Tersoff混合势函数,对单晶硅受加载和卸载时的接触特性与粘着起因展开分析,并用剪切应变和配位数分别描述硅器件接触变形与相变行为。结果加载期时,硅基与探针紧密接触区应变程度由内到外逐渐衰减;卸载期时,应变由外到内逐渐增强,且卸载时接触边缘两侧硅原子会形成桥搭,表明硅基与探针接触时存有粘着,该粘着是诱导硅基原子粘附于探针表面的主因。粘着产生是由于硅基受载时,硅发生相变转化的键能被破坏引起。加载期积累的
目的获得超光滑表面且无毒性残留的医用钛合金。方法采用半固着磨料的新型动态磁场集群磁流变抛光方法加工医用TC4钛合金,研究磨料种类、粒径、抛光时间、加工间隙和抛光盘转速等工艺参数,对医用钛合金表面形貌和表面粗糙度的影响规律,使用扫描电镜对抛光前后的医用钛合金表面进行成分分析。结果医用TC4钛合金表面形貌受磨料形状和硬度的综合影响,Al2O3磨料相对SiC、SiO2和B4C磨料能获得更高质量的表面。随着Al2
目的为进一步提高镁稀土合金微弧氧化涂层的耐蚀性能。方法首先在镁稀土合金表面制备了微弧氧化涂层,随后用磷酸盐后处理溶液,对Mg-Gd-Y合金硅酸盐微弧氧化涂层进行了封孔后处理,并在此过程中添加了缓蚀剂。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对涂层表面形貌和成分进行分析,利用极化曲线和电化学阻抗(EIS)测试了涂层的耐蚀性能。结果后处理能够在微弧氧化涂层表面形成MgHPO4沉积层,沉积层的产生有效地封闭了微弧氧化涂层表面的微孔、裂纹等缺陷。缓蚀剂的添加显著增加了沉积物的量,
目的去除复杂轮廓的钛合金蒙皮壁板微孔边缘毛刺和积瘤。方法采用磁针磁力研磨法对蒙皮壁板微孔边缘的毛刺和积瘤进行去除。设计了3种不同磁极排布方案的磁极盘,并利用仿真软件模拟了3种不同磁极排布方案的磁场分布,使用排列优化后的磁极盘对蒙皮壁板进行研磨加工,利用3D超景深电子显微镜对加工前后的微孔形貌进行对比观察。结果根据模拟结果选择了磁极排布的最佳方案。该方案中加工区域的磁场分布更均匀,优化后的磁极排布方式消除了加工区域的磁场盲区,使该处的磁感应强度峰值由300 mT增加到了500 mT,增大了圆周上磁感应强度梯
目的提高淬硬12Cr2Ni4A钢的加工质量,消除工件表面残余应力。方法采用普通磨削(OG)、超声振动辅助磨削(UVAG)以及超声振动辅助ELID磨削(UVAEG)3种磨削方式,分别对淬硬12Cr2Ni4A合金钢进行加工,分析3种加工方式下被加工工件的表面粗糙度以及残余应力。结果在超声振动辅助磨削、超声振动辅助ELID磨削下,工件表面粗糙度都低于普通加工,而超声振动辅助ELID磨削后的工件表面质量最高,相对普通磨削加工,超声振动辅助ELID磨削后的表面粗糙度降低了66%,相对于超声振动辅助磨削,超声振动辅助
基于玻璃工厂原料系统的发展现状,分析了玻璃工厂原料系统中上料系统、配料系统、碎玻璃回收系统工艺,提出了精细化设备研发、干法光学分选、石英砂环保酸洗提纯工艺、气力输送技术、自动化与智能化等玻璃工厂原料系统的新工艺及发展方向,为玻璃工厂原料系统的优化设计提供参考。
目的探究十二烷基硫酸钠(SDS)、十六烷基溴化吡啶(CPDB)和OP-103种表面活性剂在化学镀液中对镀镍过程的影响,改善PCB化学镀镍层的不均匀现象。方法通过化学镀试验,对镀镍层的厚度变化进行研究。利用电化学分析测试,研究表面活性剂对化学镀镍腐蚀的影响。使用扫描电镜(SEM)对镀镍层表面微观形貌进行表征。运用Forcite模块中的COMPASS力场进行分子动力学计算,研究表面活性剂分子在镍层表面吸附过程中的能量变化。结果通过化学镀试验,发现加入适量的表面活性剂能够增加镀镍层的厚度,SDS、CPDB和OP
目的开发环境友好、抗高温耐浓酸的长效缓蚀剂复配体系。方法采用红外光谱仪对席夫碱基吡啶季铵盐的分子结构进行表征,采用高温高压腐蚀测定仪、吸附等温模型、动力学参数、扫描电镜和量子化学计算,研究了缓蚀剂对N80的缓蚀性能及其吸附机理。结果在120、140、160℃温度下,随着席夫碱基吡啶季铵盐缓蚀剂(以下简称Shif-PyQA)质量分数的增大,腐蚀速率在低浓度时大幅减小,缓蚀率在低浓度时大幅增加,两者在高浓度时均逐渐趋于平稳。在所测温度范围内,N80在空白溶液中的腐蚀速率远大于在加有Shif-PyQA溶液中的腐
目的探究磁粒研磨中复合磁极磁回路对工件表面质量及表面粗糙度值的影响,解决传统平面磨粒受磁力较小而远离加工区域,从而使表面质量较低的问题。方法对提出的磁极复合磁路法进行研磨机理分析,并通过磨粒在加工中的受力分析,进而分析影响因素。使用等效磁路法,对3种磁路所形成加工区域的磁感应强度进行计算,进而采用Ansoft Maxwell软件对3种磁路的磁场梯度模拟仿真进行对比分析,综合分析、评价影响因素的作用,为试验打下理论基础。最后使用表面粗糙度仪及超景深3D显微镜,对采用不同磁回路研磨前后的工件表面粗糙度值及表面
目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况。结果对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516。随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加。仿真结果还表明,单晶Si相