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利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明，所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式，薄膜晶体管的阈值电压为3．8V，迁移率为25．4cm^2·V^-1·s^-1，开关比为10^6。