InSb磁阻元件的研制

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报告InSb磁阻元件的设计制造与可靠性寿命试验,其失效率λ(t)<1×10~(-5)/h。 Report InSb magnetoresistive element design and manufacture and reliability of life test, the failure rate λ (t) <1 × 10 ~ (-5) / h.
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