【摘 要】
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在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器，并具有令人满意的特性：即使在0．1mA的低偏置电流下，器件的最高温度工作温度仍能达到550℃．实验结果分析说明，当硅膜足够薄时，普通电
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,香港大学电机电子工程系
【基金项目】
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香港大学 CRCG和香港 RGC( No.HKU70 45 /98E)资助项目~~
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在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器，并具有令人满意的特性：即使在0．1mA的低偏置电流下，器件的最高温度工作温度仍能达到550℃．实验结果分析说明，当硅膜足够薄时，普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应，大大提高了本征转折温度，从而提高器件的最高工作温度．同时，由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大，因而传感器的器件结构可以根据需要来选择．
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