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在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.
Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
【摘 要】
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在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移
【机 构】
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北京大学物理学院,中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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