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本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，
Ⅱ型量子阱中红外光电子器件
【摘 要】
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本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2007年12期
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