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研究了硅场发射器中电子发射特性的退经和它的机理。利用化学－机械－磨光工序，制造出三级型硅发射器。存在一个临界偏置时间ｔｃ，在此时刻，阴级电流开始显著地降低，随着了阳极电流增大，临界时间ｔｃ将缩短。在ｔｃ时间内反复测量发射电流，每一次测量都完全弛豫，即使总偏置时间超过临界时间，也不出现退化。实验结果表明：硅场发射器中的退化主要是由于Ｎｏｔｔｉｎｇｈａｍ热使硅尖端呈现热不稳定所致。