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利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的AlZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明，该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好，并且沿ZnO的（002）晶面择优取向生长的柱状薄膜。I—V测试结果表明，这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3．2V，为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。