InAlN/AlN/GaN HEMT电学特性仿真与分析

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研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真。通过理论分析,结合TCAD软件,与常规AlGaN/AlN/GaNHEMT进行对比。对栅长为1μm的器件进行仿真,结果表明,器件的最大跨导为450mS/mm,最大电流密度为2A/mm,电流增益截止频率fT=15GHz,最高振荡频率fmax=35GHz。 A novel GaN-based HEMT structure, ie, InAlN / AlN / GaN heterojunction structure, has been studied and its DC characteristics and frequency characteristics have been simulated. Through theoretical analysis, combined with TCAD software, compared with the conventional AlGaN / AlN / GaNHEMT. Simulation results show that the maximum transconductance of the device is 450mS / mm, the maximum current density is 2A / mm, the current gain cut-off frequency is fT = 15GHz and the maximum oscillation frequency is fmax = 35GHz.
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