常温半导体探测器的近况及应用

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本文概述了最近几年常温半导体探测器的发展情况。介绍了HgI_2、CdTe、CdSe和纯化离子注入型Si半导体探测器的性能。如这些新型的探测器投入应用将使核辐射检测仪表有更大的发展。本文又对利用法国施卢姆贝格公司的纯化离子注入型硅面结探测器进行浓度测量的研究作了介绍。 This article outlines the development of ambient temperature semiconductor detectors in recent years. The properties of HgI_2, CdTe, CdSe and purified ion-implanted Si semiconductor detectors are introduced. Such as the introduction of these new detectors will enable nuclear radiation instrumentation has been further developed. In this paper, the research on the concentration measurement of the purified ion-implanted silicon surface junction detector from Schlumberger in France is also introduced.
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