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采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了用于S波段雷达接收机前端电路的低噪声放大器。对于现代无线接收机来说，其动态范围和灵敏度很大程度上都取决于低噪声放大器的噪声性能和线性度。相对于CMOS工艺来说，SiGe BiCMOS工艺具有更高的截止频率、更好的噪声性能和更高的电流增益，非常适合微波集成电路的设计。该低噪声放大器采用三级放大器级联的结构以满足高达30dB的增益要求。在5V的电源电压下，满足绝对稳定条件，在3GHz-3.5GHz频段内，功率增益为34.5dB，噪声系数为1.5dB，输出1dB