BICMOS相关论文
基于130 nm BiCMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可......
本文详细介绍了一种基于IBM 0.13um SiGe BiCMOS工艺的Ka波段六位差分数字移相器。相比于其它的移相器,通过采用差分结构,大大降低......
近年来,随着集成电路工艺特征尺寸的缩小和设计水平的迭代,非接触式生命体征探测雷达也冲破了波导器件、天线性能的桎梏,以其穿透......
该文设计了基于BiCMOS工艺的带有源自举CMOS输出级的Gilbert模拟乘法器电路新型结构并用于功率测量的单元前端,由此可方便组成一个......
基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程.并......
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大......
设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻......
基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4~2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结......
设计了一种高性能BiCMOS全差分运算放大器。该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗......
提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。......
根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,......
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部......
研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作......
基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了......
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100 GHz的差分单刀双掷开关.首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与......
To handle the thermal budget in SiGe BiCMOS process, a nonselective graphic epitaxial technology using molecular beam ep......
设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V......
本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO.采用HBT-PM......
设计了一种Colpitts型LC振荡器.该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点.该设计基于0.8 μm BiCMOS工艺,实现了中心......
提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元。基于2/3分频单元,使用0.35μm SiGeBiCMOS工艺,实现了射频可编程N分频器。验证结果表明,......
A two-stage power amplifier operated at 925 MHz was designed and fabricated in Jazzs 0.35μm SiGe BiCMOS process. It was......
基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实......
设计了一种基于BICMOS 0.5 μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路.电路的核心结构是Brok......
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了一个8~14 GHz的宽带功率放大器芯片.通过采用增益分布技术有效地拓展了放大器的工作带宽而又......
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设计一种满足全频段全球卫星导航系统(global navigation satellite system,GNSS)接收机应用要求的低噪声放大器(low noise amplif......
论文设计实现了一个用于单芯片FM调谐器的低噪声放大器,放大器采用0.6um BiCMOS工艺实现。低噪声放大器采用匹配简单并且线性度很......
针对当前用于农机的无线通讯集成放大器功耗大，受环境影响大的特点，提出了一种工作在中频79Hz的单端全集成Si／SiGe HBT放大器。该放大......
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研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A/D转换器,这种转换器采用二步分区式结构,包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC .在BiCMOS工艺基......
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文章介绍了一种用IBM公司0．5μm SiGe BiCMOS HBT工艺设计的12Gbit／s用于光纤传输系统的限幅放大器。整个系统包括一个输入缓冲级、......
在对传统带隙基准源的误差进行分析的基础上，介绍了一种改进的带隙核结构，该结构能有效抑制电流失配对带隙基准电压带来的影响。根据......
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基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于超高速光通信的四级脉冲幅度调制(PAM4)光发射机驱动电路.整体电路包括两路高......
设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于线性稳压器.在CSMC 0.6um工艺条件下,使用CADAENCE SPEC......
本文设计了一种基于BiCMOS技术的分频器，结合了双极（Bipolar）和CMOS技术的优点。作为分频器的基本单元，锁存器的工作速度直接影响了分......
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BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺，借助专业TCAD模拟软件ISE，模拟了晶体管基区注入和退火等......
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分析了影响ＢｉＣＭＯＳ全摆幅输出和高速度的因素，探索了一种新的抑制ＢＪＴ过饱和和反馈网络，提出了具有高速全摆幅输出的ＢｉＣＭＯＳ逻辑单元。该单元可以工作于......
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分析了双极型和CMOS型基准电压源的特点,在此基础上提出了一种新型的BI-CMOS基准电压源,并对他的工作原理进行了分析.......
美国国家半导体公司(National Semiconductor)近日推出专有BiCMOS模拟工艺VIP50,该公司称利用该工艺可以大幅提高新一代高精度、低......
叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生......
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提出了一个由BiCMOS构成的对数域二阶低通滤波器，并采用跨导线性原理分析得到其传递函数。分析了晶体管的寄生电容对此滤波器频率特......
