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YGG：Ru3＋晶体是重要的激光材料。本文基于晶体场和自旋哈密顿理论,采用低自旋（S=1∕2）三角强场d5组态的微扰公式,计算了4d5离子Ru3＋在YGG晶体中的自旋哈密顿参量（g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥）。通过拟合键角θ、共价因子N2和芯极化常数κ,合理地解释了这些自旋哈密顿参量,并获得了Ru3＋杂质中心在YGG晶体中的局部缺陷结构为D3d对称,畸变后的键角为56.097°。