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为了提高氮掺杂石墨烯(NG)薄膜的氮掺杂浓度(氮原子质量分数)并控制掺氮类型,通过化学气相沉积法,采取气态源与固态源相结合的方式制备了高质量的单层NG薄膜。通过调控生长时间、三聚氰胺用量(碳/氮源)、制备温度等工艺参数,研究了NG薄膜的形貌、氮掺杂浓度、掺氮类型。结果表明:NG薄膜在生长过程中包括成核、生长、成膜等;适宜的制备温度(990℃)有利于氮原子掺入到碳碳平面内;高温(超过1000℃)不利于石墨氮的生成,而有助于吡咯氮的生长;氮掺杂浓度随三聚氰胺用量的增加先升后降,最大氮掺杂浓度可达6.98%;在