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功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势。