MOS器件相关论文
碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
航空、核工业等事业的不断发展使得对其内部电子仪器精密度、集成度提出了更高的要求。更小特征尺寸的晶体管为芯片带来了更高的计......
电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤。在理论分析了影响MOS结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了MOS......
金属氧化物场效应晶体管作为航天设备的组成元件,在航空航天领域有着十分重要的研究意义,其在太空环境中会受到多种辐照效应如总剂......
随着工艺水平的提高,纳米MOS器件凭借性能高、功耗低、集成度高的特点广泛应用于航天器电子设备系统中。然而,航天器电子设备所处......
MOS结构电子器件作为集成电路的关键元素,电离辐射会在其绝缘体氧化层中引起明显的电荷积累。研究表明,在氧化层中俘获空穴形成的......
随着人类向深空探测领域的迫切发展需要,近年来越来越多的宇航器件均处于极端的空间环境下。太空中存在着大量高能的宇宙射线,工作......
随着VLSI制造技术向深亚微米方向快速发展,热载流子效应导致了MOSFET电路系统的可靠性问题。本文所研究的LDD MOSFET器件是深亚微......
在高k MOS器件中,铪基高k电介质的使用能减小栅电介质中的泄漏电流,但相对较高的缺陷密度则引起了较多的可靠性问题。为了提高高k......
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实......
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠......
本文建立了MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的......
随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄。如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间。当器件......
给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄......
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采......
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接......
对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究 ,结果发现 ,首先 ,10 0℃等温退火是有效的 ,等时退火所需的全过程时......
小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述，本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型......
本文对MOSFET的射频建模问题进行了综述,介绍了适合于GHz射频仿真、能精确预测射频特性的MOSFET射频模型,并对其相应的噪声模型进......
随产丰ＶＬＳＩＫ器件尺寸越来越小，槽栅ＭＯＳ器件被作为在深亚微９米及亚０．１范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景，论述了槽栅ＭＯＳ器件......
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研......
随着科技水平的不断进步,超大规模集成电路芯片也不断地被应用于电脑产品中,这些MOS器件最容易受静电毁坏,各电子设备生产制造厂商......
提出一种用二维器件数值模拟和负偏压温度不稳定性（negative bias temperature instability，NBTI）模型联合计算的方法，分析NBTI效应产......
对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDD NMOS器件的退化呈现出新的特点.通过实验与模拟分析,得出了热载流......
在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯......
本文首先利用实验结果分析了54HC04的阈值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系,对若干种加速实验方法作了比较,认为采用10keV X......
对含F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究.实验结果表明,在栅介质中引入适量的F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表......
采用反应磁控溅射方法，在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性，并进行了......
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应，建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用......
提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡......
本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的......
MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究......
研究了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件阈值电压的解析模型,并采用计算机模拟,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度......
基于TSMC 0.5μm 2P2M CMOS高压混合信号工艺设计了一种高精度、低温度系数带隙电压基准源.为了降低温度系数,电路采用MOS器件,利......
介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。......
基于流体动力学能量传输模型,研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响,并与相应平面器件的特性进行了比较.研究结果表明,......
High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电......
对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴（SHH）应力下SILC（应力感应泄漏电流）特性和机理进行研究。研究结果表明：在SHH应力下,栅电流在开始阶段减......
本文主要描述一下两钟对M O S管特性有影响的边界效应。同时,本文也将描述目前通用的对这两种效应的估算方式和在器件模型中的表现......
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,针对具体的工艺线,提取了MOS管加速寿命试验的模型参数,以阈值电压变化10 mV为失效判......
本文在对p+ p p+结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在(27～300℃)宽温区高温......
针对开关电源的功率器件MOS管工作在高功率大电流下易损坏，导致开关电源故障率高的问题，提出了一种利用噪声测量技术来判断其工作状......
随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(Plasma Process Induced Damage,P2ID)越来越受到重视.它可以使MOS器件的各种电学参......
半导体器件的建模及模型参数提取是电子设计自动化（EDA）领域的关键性工作。要提取器件参数,获取并处理复杂繁重的测量数据是前提条件......
从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了......
对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性......
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的......
