无定形铌氧化膜的优化生长及机理分析

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaollxiao

【摘要】

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铌是用于制造电解电容器的优质材料,但在进行电解反应生长无定形Nb2O5电介质膜层的过程中会同时生成2种低价态的铌的氧化物(NbO,NbO2),影响了铌电容器的性能.本研究通过对影

【作者】

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李春光高勇董宁利

【机构】

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西安理工大学,西安理工大学,宁夏星日电子股份有限公司

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2005年8期

【关键词】

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铌电容器氧化膜 XPS分析 Niobium capacitor oxide film XPS analysis

【基金项目】

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国家高技术研究发展计划(863计划)，国际科技合作项目

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铌是用于制造电解电容器的优质材料,但在进行电解反应生长无定形Nb2O5电介质膜层的过程中会同时生成2种低价态的铌的氧化物(NbO,NbO2),影响了铌电容器的性能.本研究通过对影响无定形铌氧化膜生长的各种条件进行对比实验,并就生长机理进行了深入分析,较好地控制了氧化膜中3种氧化物的相对含量,改善了铌电容器的性能.

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