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摘要:为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN3作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO3(2nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Bphen(15nm)/Bphen:CsN3(15nm,x%,x=10,15,20)/Al(100nm)的器件。实验结果表明,CsN3是一种有效的n型掺杂剂,以掺杂层Bphen:CsN3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的