【摘 要】
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松下电器工业公司开发出了一种在晶体管(MOSFET)的电流流动路线(沟道区域)上引入一个毫微秒控制的SiGe层并在O.5 V电压下工作的新颖结构晶体管(SiGe N型MOSFET)。由于把SiGe
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松下电器工业公司开发出了一种在晶体管(MOSFET)的电流流动路线(沟道区域)上引入一个毫微秒控制的SiGe层并在O.5 V电压下工作的新颖结构晶体管(SiGe N型MOSFET)。由于把SiGe N型MOSFET用于CMOS结构上,因而可使系统LSI的功耗减少1/10。随着高功能化的进展,可以逐渐抑制一些不断增加的功耗,对节省移动设备的功耗将
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