杂质浓度相关论文
通过在偏滤器区域充入适量氖气(Ne)或氩气(Ar),东方超环(Experimental Advanced Super-conducting Tokamak,EAST)托卡马克装置实现......
未冻水含量改变直接影响冻土的热力学及变形特性,也是水热数值计算的关键条件.为了探究未冻水含量变化规律,首先采用等效粒径表征......
本论文的目的是测定纳米硅粉中的多数载流子浓度,主要从两种手段进行研究.一种是通过测量微纳米硅粉压片的红外反射谱,利用等离子......
ASK006作为公司研发新品种，在车间进行放大试生产过程中，出现产品有关物质杂质A浓度升高的现象，为确保ASK006成功转入车间生产，特制定......
增加真空深度可以极大地促进挥发性金属杂质的去除。通过下列过程来去除这些杂质:1)杂质向表面转移,这个过程由两个程序构成,一个......
对粉末冶金法制备的纯钨和含硅、钾、铝的掺杂钨烧结坯及钨丝的断口应用俄歇电子能谱仪(AES)、扫描电子显微镜(SEM)作系统的检测分......
一、引言随着工业的发展,对氢的需求量迅速增加。与此同时,化学工业和石油工业等又有大量的付产氢放空浪费,是个潜在的重要氢源。......
P+-Si /N+ 多晶的太阳能电池用 AMPS-1D 设备模拟器被塑造探索新高效率薄电影多晶硅太阳能电池。以便分析这台设备的特征和 N+ 多......
本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理......
本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双......
一、概述QBD成品率的研究对超薄氧化层的质量评价至关重要，它是MOS电路可靠性的保证。本文的研究对象为Z0nm超薄氧化层的QBD。其中2......
在Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变（进而能隙缓变）产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速......
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低......
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度......
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
Aiming at the open-tube acceptor dou......
针对目前用于半导体材料掺杂浓度纵向深度分布测量用的方法，如Ｃ－Ｖ法、电化学法等方法对样品造成的损伤或污染，本文提出一种非接触式的光......
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争......
据《日经》3报道，日本东芝公司研制成功在14GHz下，增益ldB压缩时输出功率为43．2dBm（20．9W）的GaAsFET功率MMIC，电源电压十9V，增益为6．9dB，功率......
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函......
文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
The article introduces t......
研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各......
测量了７～１０００Ｋ的掺氮６ＨＳｉＣ材料基本电学性质，用电中性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化合物半导体散射机构计算了迁移率。数据......
基于Ａｎｄｅｒｓｏｎｓ－ｄ混合模型和Ｆａｌｉｃｏｖｓ－ｄ库仑互作用模型，利用格林函数方法，研究了稀磁合金的ｓ－ｄ混合效应和ｓ－ｄ库化互作用效应对热电势的影响
Based on the Coulomb......
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子......
一、真空分凝过程中杂质的行为Pfan〔1〕曾推导了熔体定向凝固(也称正常凝固)和一次区域熔化杂质浓度沿锭长的分布方程:定向凝固:......
松下电器工业公司开发出了一种在晶体管(MOSFET)的电流流动路线(沟道区域)上引入一个毫微秒控制的SiGe层并在O.5 V电压下工作的新......
本文介绍用火花源质谱法测定猪肝样品中K,Na,P,Mg,Fe,Ca,Rb,Cu和Cr等九种微量元素的方法。对样品电极的制备提出了一个可行的方案,......
在单晶硅中杂质浓度的常规分析工作中,我们采用中子活化分析的双标准比较法。与相对法比较,它省时、省力,只需要二个标准,一次可......
纯度分析在化学研究和化学制品(如化学试剂,药物等)的质量控制上是非常重要的。纯度分析的方法很多,但常因样品和杂质的性质不同......
用紫外激光共振激励火焰中的Mn原子,采用了水冷电极,检测了Mn的激光增强电离光谱(LEIS)信号及检测限,并研究了不同杂质浓度对LEIS......
随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的......
NEC在研发55nmCMOS工艺技术中采用如下关键工艺:1.193nmArF浸润式光刻技术;2.高k介电质—HfSiON,实现高载流子迁移率,实际氧化膜厚......
用气相色谱法测定了超纯氢中痕量杂质O_2+Ar、N_2、CO、CH_4和CO_2。将TCD和FID与预浓缩技术结合,当浓缩样品量为10升时,检测灵敏......
3.5％Ni—1.7％Cr型转子用钢的回火脆性是由于杂质元素(P、Sn、Sb、Si等)在品界的析聚。表征脆性的塑脆转变温度与品界杂质浓度、硬度......
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈......
应力腐蚀开裂(SCC)是金属材料的腐蚀问题中的重要部分。它指金属在特定介质中由于受稳定应力产生尖锐的裂纹而造成的金属材料的腐......
通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1HF、50......
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,......
介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用......
提出了一种针对肖特基势垒特性曲线(Cj-Vj曲线)的测量方法 (特定电容法)。实验测定了特定电容C-V曲线,通过解析处理C-V曲线信息,计......
