论文部分内容阅读
本文介绍了等离子体辅助镀膜技术以及相应的高真空等离子体源。这种新型等离子体源属于空心冷阴极结构，工作气压在１×１０￣（－３）ｐａ～１０￣（－１）ｐａ，它的最大优点在于能够直接电离氧化性气体而不烧毁阴极。采用探针法测定了氩等离子体中辅助离子的能量范围在５０～８０ｅＶ之间，并在氩气、氧气的等离子体中分别沉积了单层ＺｎＳ薄膜和ＳｉＯ＿２薄膜。实验结果表明，生成的薄膜具有良好的光学和机械性能。更多还原