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为改进多晶硅薄膜制造工艺,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）测试其晶体结构,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明光照时间、光照强度都对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波频率的影响作用更大。