【摘 要】
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三菱电机公司现已开发出具有低功耗的512kbSRAM（MSM5512P／FP／VP／RV／KV／KR）系列产品，目前开始上市。本产品通过使用ATD方式和高速读出放大器之后使电路设计达到最佳化程度，通过应用0.6
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三菱电机公司现已开发出具有低功耗的512kbSRAM（MSM5512P／FP／VP／RV／KV／KR）系列产品，目前开始上市。本产品通过使用ATD方式和高速读出放大器之后使电路设计达到最佳化程度，通过应用0.6μm工艺使晶体管特性获得了提高，因此，即使在5V工作时，其存取时间则达到了45us；3
Mitsubishi Electric Corporation has now developed a low-power 512kbSRAM (MSM5512P / FP / VP / RV / KV / KR) series, is currently available. By using the ATD method and the high-speed sense amplifier to optimize the circuit design, the 0.6μm process improves transistor characteristics, resulting in a 45us access time even at 5V operation. 3
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